当前位置：首页 > 产品中心

sic深加工

sic深加工

激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究

2024年7月15日 — 飞秒激光加工和水导激光加工属于先进激光加工方法，具有加工质量可控、自动化加工、加工成本低等优势，是解决SiC f /SiC复合材料大深径比小孔的优选技术方 2024年2月1日 — 一、减薄与研磨工艺减薄SiC衬底的切割损伤层主要有2种路线,包括研磨 (Lapping)和减薄 (Grinding)工艺。研磨工艺目前市占率较高,通常包含粗磨和精磨两个环节,而且在化学机械抛光 (CMP)之前还需要半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解；知乎专栏2022年11月29日 — 介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。关键词：SiC晶 SiC晶片加工技术现状与趋势2020年6月12日 — SiCを加工した場合の特性を把握するため，加工能率と加工変質層深さの関係をベンチマークした．その評価は，研削した加工面を研磨し，平坦化特集 SiC半導体ウエハの加工技術

深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者世强硬

2016年3月9日 — SiC器件关键工艺 SiC材料的特殊性和特殊的器件用途与使用环境，使得SiC器件的制作工艺与Si以及GaAS器件工艺存在一定的差异，因此要研制高质量的SiC器 SiC晶圆（silicon carbide，碳化硅）作为高耐压、低功率损耗的半导体材料，广泛用于功率器件。 SiC功率器件一般具有垂直型器件结构，通过减薄其晶圆的厚度可以降低衬底基板的电阻从而提高能量转换效率。但相较 SiC器件晶圆的研削研削解决方案 DISCO 本论文分别选用飞秒激光和皮秒激光对SiC/SiC复合材料进行加工,研究其加工工艺和加工特性,掌握其表面加工和微孔加工规律,为发展SiC/SiC复合材料的精密微加工技术奠定基础。SiC/SiC复合材料的超快激光加工工艺与特性研究百度学术2020年8月1日 — 鉴于FRCMCsSiC的可加工性低（高硬度，高脆性，各向异性和异质性），初步实验已证明，超声辅助加工和激光辅助加工在减小力和减少刀具磨损，提高加 SiC陶瓷基复合材料的机械加工研究进展,Chinese Journal of

半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；

2024年2月18日 — 二、SiC 衬底加工装备 SiC晶锭生长完成后进入衬底加工环节,包括切割、研磨(减薄)、抛光(机械抛光) 石墨纯度决定了石墨深加工产品的使用性能和综合性能,因此SiC领域的石墨材料国产替代和降本亟需碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 机加工尺寸精度当机加工陶瓷要求尺寸精度时，京瓷能够实现下表中的公差值。如需要精度更高的公差，请联系我司碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA株式会社ディスコ：SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現。新たな加工手法によるレーザスライス技術・KABRAプロセスを開発。ワイヤ加工では切断部分の素材ロス（カーフロス）がウェーハ1枚あたり180 μm 程度 ※3 ありますが、本プロセスでは切断時点での素材ロスはありません。KABRA：SiCウェーハメイキングプロセス新時代へインゴット SiSiC 加工内容 SiSiC素材拡散接合による溝形状、深穴形状形成備考開発している拡散接合は、「異なる形状の部材を中間材を使用せずに接合する」ことができます。母材特性を維持しつつ、機械加工では困難な形状を作り出せることが魅力です。SiSiC素材拡散接合トップ精工

炭化ケイ素 (SiC) の特性と加工方法の詳細ガイド

2024年6月11日 — 炭化ケイ素 (SiC) は、その高い硬度と熱伝導率により、電子産業や工業用セラミックスなど、多岐にわたる分野で重要な役割を果たしています。本記事では、炭化ケイ素の基本的な特性と、レーザー加工、マシニング加工、放電加工といった高精度な加工方法について詳しく解説します。2024年7月15日 — 摘要: SiC f /SiC陶瓷基复合材料(SiC f /SiC复合材料)具有各向异性、高硬度和低导电性等特点，导致其大深径比小孔难以加工。飞秒激光加工和水导激光加工属于先进激光加工方法，具有加工质量可控、自动化加工、加工成本低等优势，是解决SiC f /SiC复合材料大深径比小孔的优选技术方案。激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究2022年12月1日 — 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制杂质的掺入量和分布情况。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区 2023年9月27日 — 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

SiCなど高精度セラミック研削加工ならモリセ精工へ

アルミナ・ジルコニア・窒化ケイ素・炭化ケイ素などの高精度、難形状のセラミック切削加工品をご提供します。モリセ精工はテスト・試作加工から量産品まで他社で断れたことのなるような難加工品の切削加工が得意です。セラミック切削加工品ならモリセ精工へお任せく 2023年9月19日 — 九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究，集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主可控的成套工艺技术。接下来，本文将围绕下一代SiC 沟槽器件技术，介绍业界在二极管及MOSFET 器件上的相关研究进展与阶段性成果。下一代碳化硅沟槽器件技术技术文章频道《化合物半导体》株式会社寿原テクノス福岡ファクトリーは、ガラス、セラミックス細穴加工、深穴加工のプロフェッショナル。RsJAPANは、一般的なガラス加工方法として、「超音波スピンドル」を皆さまに認識いただき、さらなる加工サンプル : 株式会社寿原テクノス福岡ファクト株式会社寿原テクノス福岡ファクトリーは、ガラス、セラミックス細穴加工、深穴加工のプロフェッショナル。RsJAPANは、一般的なガラス加工方法として、「超音波スピンドル」を皆さまに認識いただき、さらなる株式会社寿原テクノス福岡ファクトリー石英ガラ

SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ

2020年8月19日 — この加工でも深さ、形状の点で図2 とほぼ同様の結果が得られている。サンプルの温度は150℃以下であり、目的とした温度 SiCエッチングに関し、当社では2 つの視点から取り組んでいる。ビアホール加工等の高速ディープエッチング、及び 2023年3月29日 — 碳化硅（SiC）由于其独特的材料性能，在射频（RC）和高功率器件制造中受到更多关注。然而，由于碳化硅晶圆的硬度高、脆性大，切割一直是一项棘手的任务。刀片切割效率低下且存在碎片污染物。此外，激光烧蚀切割和热激光分离（TSL）可能会产生热损伤和不规则裂纹扩展。4HSiC晶圆纳秒激光隐形切割加工质量研究 XMOL科学 2020年3月17日 — 复合材料加工过程中，磨削方向的改变会影响加工过程中纤维与界面的失效形式，从而导致加工表面质量的差异。磨削加工过程中，磨粒动态冲击载荷作用下，由于纤维强度低于基体强度，因此沿典型方向磨削时纤维的去除规模明显大于基体的去除规模。纤维方向对单向C/SiC复合材料磨削加工性能的影响2024年7月15日 — 摘要: SiC f /SiC陶瓷基复合材料(SiC f /SiC复合材料)具有各向异性、高硬度和低导电性等特点，导致其大深径比小孔难以加工。飞秒激光加工和水导激光加工属于先进激光加工方法，具有加工质量可控、自动化加工、加工成本低等优势，是解决SiC f /SiC复合材料大深径比小孔的优选技术方案。激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究

SiCの性質・用途の解説研磨加工事例の紹介精密研磨加工

株式会社ティ・ディ・シー（TDC）で行うSiCの研磨加工の特徴や概要、加工事例をご紹介します。とくにSiCウェハはラッピングやポリッシングといった研磨技術が重要となります。TDCでこれまでに培ってきた研磨技術や独自の開発技術を用いてSiC研磨の課題を解決し 2022年10月18日 — し、SiC に関するレーザ加工はSiC 結晶を対象とした報告が主流で、SiC セラミックスについては加工（ダメージ）閾値フルーエンスやアブレーション率（レーザ1 照射あたりに掘れる深さ）のレーザフルーエンス依存性などの加工難加工材 SiC セラミックスのレーザアブレーションとレーザ石川技研工業株式会社の製品情報に関するページです。ファインセラミックス部品の研削加工メーカー。SiC、ALN、アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、超硬、フェライト等の、微細穴加工、薄板加工、高精度の対応が可能。短納期、小ロット生産でお客様の多様なニーズにお答えします。技術紹介｜石川技研工業株式会社2024年1月26日 — 半导体碳化硅(SiC) 是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解九域半导体科技

SiCP/Al复合材料复合加工技术研究进展汉斯出版社

2021年2月5日 — 总之，复合材料的性能受SiC含量的影响最为显著，在对不同体分、不同应用、不同结构要求的SiC P /Al复合材料进行加工时，需要在不同加工阶段选取合适高效高质量的加工方式。因此，本文通过对现有SiC P /Al复合材料复合加工技术进行研究，分析对比主要加工技术的长处，力求为SiC P /Al复合材料 2017年7月7日 — 本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种SiC晶圆的深孔清洗方法。背景技术作为第三代宽禁带化合物半导体器件的GaNHEMT在功率输出、频率特性等方面具有优良的特性，使其在高温、高频、大功率器件方面有着很好的应用前景，目前在国内外得到了广泛的研究。由于缺少单晶作为衬底，目前一种SiC晶圆的深孔清洗方法与流程 X技术网2019年9月2日 — 但是SiC材料不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，影响加工精度。因此，深入碳化硅SIC材料研究现状与行业应用知乎2019年9月5日 — 缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

4HSiC粒子探测器的研究潜力及其器件研发

2024年5月24日 — 7 4HSiC LGAD SICAR(Silicon CARbide)器件研发灵敏区的设计灵敏区越厚，MIP离子产生的电子空穴对越多；灵敏区越薄，电子和空穴的收集时间越快，即探测器的响应速度越快灵敏区利用率高(器件全耗尽)，灵敏区掺杂浓度越低，越容易全耗尽SiSiCへの深穴加工。トップ精工では硬脆材への高アスペクト比の穴加工を得意としております。製品名 SiSiC(MMC) 使用素材 SiSiC 加工内容 φ20x300Lの深穴加工(片側より) 備考穴の真直度は01mm程度で、非常にまっすぐあいています。SiSiC深穴加工トップ精工2023年10月27日 — SiC衬底加工精度直接影响器件性能，要求SiC晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤。SiC单晶的加工过程主要分为切片、研磨和抛光，其中切割是SiC衬底加工的道工序，对后续衬底外延以及晶圆制造至关重要。碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关摘要：单晶SiC作为第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙,高热导率,高击穿场强,高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,被广泛用作高频大功率电力电子器件和光电子器件的衬底基片作为薄膜材料生长的载体,其加工表面质量直接影响薄膜质量,决定电子元器件性能本文基于加工亚表面损伤层检测的单晶SiC基片超精密加工表面及亚表面损伤研究百度学术

纳秒激光加工机械密封动压槽的槽深计算及实验验证

2023年5月30日 — 密封性能有显著的影响，这对槽深的加工精度提出了很高的要求。目前，实际工程应用中最常见的槽深控制方法是其中，张珊等[1819]开展了SiC密封环动压槽激光加工工艺研究，揭示了不同工艺参数对槽深的影响规律，但其影响规律均是 SUS420 ヘリカルミーリング微細溝加工、SiC 微細くし歯加工高アスペクト比、微細穴、順テーパ加工と穴径精度の安定性タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムの加工事例 SUS420 微細穴、420焼入れ異形穴、SKD11焼入れ微細ラック形状、プラチナシリコンウェハ、SiC、マシナブルセラミックの面直微細穴加工2021年4月27日 — 浙江大学杭州国际科创中心研制的碳化硅（SiC）单晶锭和晶圆备受关注的4H碳化硅晶圆我们熟知的各种电路元件结构大多都是在晶圆的基础上制作而成的。目前，在高压、高频、高温电子器件领域，4H碳化硅晶圆是当之无愧的重要角色。浙大杭州科创中心研制出首批碳化硅晶圆 Zhejiang University2020年4月29日 — SiC基板では注入する濃度よって、高温と注入と低温注入を使い分けます。 SiC向けイオン注入プロセスの紹介 SiC高温イオン注入装置 3トレンチ加工用マスク成膜トレンチ加工のためにCVDで絶縁膜をトレンチ構造パワーデバイス製造プロセス ULVAC

陶瓷加工综合指南 Runsom Precision

碳化硅 (SiC) 陶瓷代表了一种先进的技术陶瓷，以其卓越的硬度、高导热性以及强大的耐热冲击和耐磨性而闻名。这些品质使它们广泛适用于各种工业环境。 SiC 陶瓷的加工越来越受到青睐，可用于制造切削刀具、耐 2023年12月6日 — 2023年全球及中国碳化硅（SiC ）行业现状及发展趋势分析，将会面临更加激烈的市场竞争「图」刘潘在上游，原材料主要包括各类硅烷、氮化硼等，这些原材料经过加工后制成碳化硅衬底材料。碳化硅衬底材料进一步加工后，可以制成外延材料。2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析 3 天之前 — 纳秒脉冲激光激光隐形切割近几年在硅晶圆和蓝宝石的切割上得到了快速发展和应用，但在加工碳化硅（SiC ）过程中，脉冲持续时间远长于碳化硅中电子和声子之间的耦合时间（皮秒量级），因此会产生较大的热效应，晶圆的高热量吸收不仅使顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解受益新能源车爆发，碳化硅功率器件市场迅速增长。有机构预测，2025 年新能源车 + 光伏逆变器市场需求达 261 亿元，20212025 年 CAGR=79%。 2025 年 SiC 在新能源车渗透率达 60%，预计 6 英寸 SiC 衬底需求达 587 万片 / 年，市场空间达 231 亿元。成本高 10余家企业参与，5年内碳化硅（SiC）将全面入8英寸时代

SiC晶片加工技术现状与趋势

2022年11月29日 — SiC单晶的硬度极高，化学稳定性高，传统加工半导体材料的方法不完全适用于SiC单晶的加工。国际上各专业公司已对SiC单晶加工的高难度技术进行了大量研究，但对相关技术严格保密。近年来，我国加强了SiC单晶材料和器件的研制，而SiC加工技术和晶 2023年7月7日 — 其中PVT法是现阶段商业化生长SiC衬底的主流方法，技术成熟度最高、工程化应用最广。图表5：三种SiC衬底制作方法对比晶体加工：通过晶锭加工、晶棒切割、研磨、抛光、清洗等环节，将碳化硅晶棒加工成衬底。图表6：SiC衬底工艺流程碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比电子发烧友网3 天之前 — 在该文中，作者对不同的磨削技术对SiC陶瓷的加工性能和表面质量所产生的影响进行了综合总结，并针对这些技术的局限性进行了描述。此外，提供了改进和优化这些磨削技术的建议，以期提高加工效率和表面质量，推动SiC陶瓷领域的发展。中北大学刘瑶副教授、祝锡晶教授等：SiC陶瓷先进磨削技术 2024年2月18日 — 二、SiC 衬底加工装备 SiC晶锭生长完成后进入衬底加工环节,包括切割、研磨(减薄)、抛光(机械抛光) 石墨纯度决定了石墨深加工产品的使用性能和综合性能,因此SiC领域的石墨材料国产替代和降本亟需半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；

碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA

碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 机加工尺寸精度当机加工陶瓷要求尺寸精度时，京瓷能够实现下表中的公差值。如需要精度更高的公差，请联系我司株式会社ディスコ：SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現。新たな加工手法によるレーザスライス技術・KABRAプロセスを開発。ワイヤ加工では切断部分の素材ロス（カーフロス）がウェーハ1枚あたり180 μm 程度 ※3 ありますが、本プロセスでは切断時点での素材ロスはありません。KABRA：SiCウェーハメイキングプロセス新時代へインゴット SiSiC 加工内容 SiSiC素材拡散接合による溝形状、深穴形状形成備考開発している拡散接合は、「異なる形状の部材を中間材を使用せずに接合する」ことができます。母材特性を維持しつつ、機械加工では困難な形状を作り出せることが魅力です。SiSiC素材拡散接合トップ精工2024年6月11日 — 炭化ケイ素 (SiC) は、その高い硬度と熱伝導率により、電子産業や工業用セラミックスなど、多岐にわたる分野で重要な役割を果たしています。本記事では、炭化ケイ素の基本的な特性と、レーザー加工、マシニング加工、放電加工といった高精度な加工方法について詳しく解説します。炭化ケイ素 (SiC) の特性と加工方法の詳細ガイド

激光加工SiC f /SiC陶瓷基复合材料大深径比小孔研究

2024年7月15日 — 摘要: SiC f /SiC陶瓷基复合材料(SiC f /SiC复合材料)具有各向异性、高硬度和低导电性等特点，导致其大深径比小孔难以加工。飞秒激光加工和水导激光加工属于先进激光加工方法，具有加工质量可控、自动化加工、加工成本低等优势，是解决SiC f /SiC复合材料大深径比小孔的优选技术方案。2022年12月1日 — 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制杂质的掺入量和分布情况。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区 2023年9月27日 — 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关アルミナ・ジルコニア・窒化ケイ素・炭化ケイ素などの高精度、難形状のセラミック切削加工品をご提供します。モリセ精工はテスト・試作加工から量産品まで他社で断れたことのなるような難加工品の切削加工が得意です。セラミック切削加工品ならモリセ精工へお任せく SiCなど高精度セラミック研削加工ならモリセ精工へ

下一代碳化硅沟槽器件技术技术文章频道《化合物半导体》

2023年9月19日 — 九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究，集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主可控的成套工艺技术。接下来，本文将围绕下一代SiC 沟槽器件技术，介绍业界在二极管及MOSFET 器件上的相关研究进展与阶段性成果。